Si/SiC auf Diamantsubstraten

Mit steigenden Leistungsdichten in 5G, KI, Hochleistungselektronik und Millimeterwellengeräten erreichen traditionelle Si- und SiC-Substrate ihre thermischen Grenzen, was zu höheren Verbindungstemperaturen und geringerer Zuverlässigkeit führt. Um dies zu überwinden, hat die Industrie Si/SiC auf Diamant-Substraten eingeführt, um die überlegene Wärmeleitfähigkeit von Diamant zu senken und die Geschwindigkeit, Leistungsdichte und Stabilität der Geräte zu verbessern.