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Mit steigenden Leistungsdichten in 5G, KI, Hochleistungselektronik und Millimeterwellengeräten erreichen traditionelle Si- und SiC-Substrate ihre thermischen Grenzen, was zu höheren Verbindungstemperaturen und geringerer Zuverlässigkeit führt. Um dies zu überwinden, hat die Industrie Si/SiC auf Diamant-Substraten eingeführt, um die überlegene Wärmeleitfähigkeit von Diamant zu senken und die Geschwindigkeit, Leistungsdichte und Stabilität der Geräte zu verbessern.
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