Con l’aumento delle densità di potenza in 5G, AI, elettronica ad alta potenza e dispositivi ad onde millimetriche, i substrati tradizionali in Si e SiC stanno raggiungendo i loro limiti termici, causando temperature di giunzione più elevate e affidabilità ridotta. Per superare questo problema, l’industria ha introdotto il Si/SiC sui substrati di diamante, sfruttando la conduttività termica superiore del diamante per ridurre le temperature di giunzione e migliorare la velocità del dispositivo, la densità di potenza e la stabilità.
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